面型光-光スイッチ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127753
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323684
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】高繰り返し且つ低パワーで動作し、高速・大容量通信が可能な面型光-光スイッチを得る。【解決手段】屈折率の異なる二種類の半導体層が交互に積層した周期構造を有した制御光のオン/オフによって信号光のオン/オフを制御する光スイッチにおいて、二種類の半導体層(Al0.123Ga0.877As/AlAs)からなる半導体周期構造層12のうち小さいバンド間遷移エネルギーを有する半導体層(Al0.123Ga0.877As)のバンド間遷移エネルギーが制御光および信号光の光子エネルギーの二倍であり、層厚がそれぞれλ/4ni(ただし、λは制御光、信号光の波長、ni(i=1,2)は二種類の半導体層の屈折率)とする。

請求項（抜粋）：

屈折率の異なる複数の半導体層が交互に積層された周期構造を有し、制御光のオン/オフによって信号光のオン/オフを制御する光スイッチにおいて、上記複数種類の半導体層のうち小さいバンド間遷移エネルギーを有する半導体層のバンド間遷移エネルギーを上記制御光および信号光の光子エネルギーの所定の倍数値に設定し、且つ上記複数種類の半導体層の層厚を上記制御光および信号光の波長と上記複数種類の半導体層の屈折率で決まる所定値にそれぞれ設定したことを特徴とする面型光-光スイッチ。

Fターム (9件)：

2H079AA08 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079EA07 , 2H079EB04 , 2H079EB17 , 2H079HA15

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体光スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-260022 出願人：株式会社東芝
光半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-180520 出願人：日本電信電話株式会社
超高速光スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-292049 出願人：旭硝子株式会社

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