特許
J-GLOBAL ID：200903064916519862
シリコンナノニードルの製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047199
公開番号（公開出願番号）：特開2003-246700
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月02日
要約：
【要約】【課題】 CVD等の特殊装置を用いない簡便、安価で安全な、自己組織化によるシリコンナノニードルの高効率生成方法の確立が求められている。しかも、その形状はよく制御されたものである必要がある。【構成】 シリコンと合金液滴を形成する金属を用いて、気体-液体-固体機構によりシリコン基板上にシリコン単結晶のニードルを成長させる方法において、該金属の他に硫黄を用いることによりシリコン基板を供給源として気相のシリコンを生成させて該金属と合金液滴を形成させ、該合金液滴の冷却過程においてシリコン基板表面にシリコンナノニードルをエピタキシャルに成長させる。この方法によりマイクロテクスチャリングされたシリコンを用いることにより、高効率ディスプレーなどのフィールドエミッター、光検出器、高効率太陽電池、発光素子等々のIT分野へのシリコンナノニードルの実用化に貢献できる。
請求項（抜粋）：
シリコンと合金液滴を形成する金属を用いて、気体-液体-固体機構によりシリコン基板上にシリコン単結晶のニードルを成長させる方法において、該金属の他に硫黄を用いることによりシリコン基板を供給源として気相のシリコンを生成させて該金属と合金液滴を形成させ、該合金液滴の冷却過程においてシリコン基板表面にシリコンナノニードルをエピタキシャルに成長させることを特徴とするシリコンナノニードルの製法。
Fターム (5件)：
4G077AA04
, 4G077BA04
, 4G077CC06
, 4G077HA15
, 4G077HA20
