特許
J-GLOBAL ID：200903064944908165
エッチング方法および半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112104
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 欠陥の発生を抑制しつつ半導体を容易にエッチングすることができるエッチング方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供することである。【解決手段】 サファイア基板51上にGaN層52を形成し、そのGaN層52の表面にMg膜53を蒸着する。Mg膜53が蒸着されたGaN層52を窒素雰囲気中で300〜1000°Cに加熱し、そのまま所定時間保持する。これにより、Mg膜53下のGaN層52がエッチングされる。
請求項（抜粋）：
ガリウムおよび窒素を少なくとも含有する半導体上にマグネシウムまたは亜鉛を少なくとも含有する金属膜を形成し、前記金属膜が形成された前記半導体を所定温度に加熱することにより前記金属膜下の半導体をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 33/00 C
, H01L 21/302 P
