特許
J-GLOBAL ID：200903064946285548
半導体装置の接合方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068079
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281521
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】携帯機器の小型化が進むと共に、半導体装置のサイズも小さくする必要があり、それには必然的にバンプ間距離を縮めるとともに、チップを構成するバンプ自体も小さくする必要がある。しかし、バンプが小さいほど接合面積が小さくなり、接合が安定せず、接合力を低下させてしまう。また、バンプが小さいために比較的低荷重でもバンプ潰れが発生し、半導体装置と回路基板が接触してしまう。信頼性においても、接合面積が小さいので熱衝撃や高温高湿の環境などで接合不良を起こしやすい。【解決手段】半導体装置と回路基板を接合する前処理として、半導体装置のバンプにプラズマを照射して、バンプ表面に形成された不純物層を除去した。更に、回路基板の導電パターンと半導体装置に形成したバンプを接合前に擦過させることで安定した接合を得られるようにした。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体装置の外部取り出し電極であるバンプを形成した面が回路基板に対向した状態で接合するフリップチップ実装で、回路基板は電気絶縁層と導電パターンからなり、その導電パターンは半導体装置のバンプと接合させる半導体装置の接合方法において、前記半導体装置の構成部であるバンプは金からなり、該金バンプに酸素を用いたプラズマを照射する工程を経た後に、回路基板の導電パターンに接合する半導体装置の接合方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/60 311Q
, H01L21/60 311Z
5F044LL00
, 5F044LL04
, 5F044QQ04
