特許

J-GLOBAL ID：200903064956351603

ポジ型レジスト用基材樹脂

発明者： 佐藤 和史 ,  新田 和行 ,  山崎 晃義 ,  坂井 与日 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 服部 平八
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091921
公開番号（公開出願番号）：特開2000-310859
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】高感度で、クオーターミクロン以下の高解像性を有し、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性及びレジスト溶液の保存安定性に優れるとともに、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物の基材用樹脂として有用な新規なポジ型レジスト用基材樹脂を提供すること。【構成】水酸基の10〜60モル%が一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は炭素数1〜4の低級アルキル基である。) でで表わされる残基で置換され、重量平均分子量が8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)が1.5以下のポリヒドロキシスチレンからなるポジ型レジスト用基材樹脂。

請求項（抜粋）：

水酸基の10〜60モル%が一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は炭素数1〜4の低級アルキル基である。)で表わされる残基で置換され、重量平均分子量が8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)が1.5以下のポリヒドロキシスチレンからなるポジ型レジスト用基材樹脂。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-049097   出願人：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-090203   出願人：信越化学工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-195615   出願人：信越化学工業株式会社