特許
J-GLOBAL ID：200903065767847009
化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-195615
公開番号（公開出願番号）：特開平9-090639
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性に優れた微細加工技術に適した高解像性を有し、実用性の高い化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【解決手段】 下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンから選ばれる分子量の異なる2種以上のポリマーを含み、かつ、高分子量のポリマーの分子量分布(Mw/Mn)が1.5以下であり、それより低分子量のポリマー全体の分子量分布が5.0以下であると共に、高分子量のポリマーの重量平均分子量(Mw1)とそれより低分子量のポリマー全体の重量平均分子量(Mw2)との比(Mw1/Mw2)が1.5以上であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは酸不安定基であり、p、qはそれぞれp/(p+q)が0.05以上となる数である。)
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンから選ばれる分子量の異なる2種以上のポリマーを含み、かつ、高分子量のポリマーの分子量分布(Mw/Mn)が1.5以下であり、それより低分子量のポリマー全体の分子量分布が5.0以下であると共に、高分子量のポリマーの重量平均分子量(Mw1)とそれより低分子量のポリマー全体の重量平均分子量(Mw2)との比(Mw1/Mw2)が1.5以上であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは酸不安定基であり、p、qはそれぞれp/(p+q)が0.05以上となる数である。)
IPC (4件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, H01L 21/30 502 R
