特許
J-GLOBAL ID：200903064980252411
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320073
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154679
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】アスペクト比の高いスルーホールを形成した場合においてもスルーホール底部にて断線が発生しない、信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】スルーホール8の近傍に電流の流路となることがなく、シリコン基板2の表面に対して鉛直方向が平行方向よりも長い、プラグ9と同材質な柱であるダミービア21をスルーホール8の周辺に配置する。ダミービア21を形成することで、スルーホール8の底部に作用する応力を分散することができ、スルーホール8の深さが深い場合においてもプラグ9の応力を低減させ、スルーホール8の底面の膜の剥離を防止できる。よってアスペクト比が高いスルーホールの場合でも信頼性の高い半導体デバイス1を実現することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に積層される層間絶縁膜と、上記半導体基板上に積層される上層配線及び下層配線と、上層配線と下層配線とを電気的に接続するためのプラグと、を少なくとも有する半導体装置において、半導体基板表面に対して鉛直方向に伸び、上記プラグの近傍であり、上記層間絶縁膜中に配置される少なくとも1本の柱であって、上記柱は半導体基板表面に対して鉛直方向が平行方向よりも長く、上記柱の底面あるいは上面のどちらか一方のみが上層配線、下層配線の少なくともどちらかに接しており、上記柱が電流の流路とならず、上記層間絶縁膜の熱膨張係数より、大の熱膨張係数を有する上記柱を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/88 B
, H01L 21/90 B
, H01L 27/10 621 A
, H01L 27/10 681 F
