特許

J-GLOBAL ID：200903064981002680

IN-SITU蒸気生成方法及び装置

発明者： グロネット, クリスチャン, エム. ,  ヌート, ピーター, エー. ,  マイナー, ギャリー, イー. ,  シン, ギャングカイ ,  ロープス, デイヴィッド, アール. ,  クップラオ, サシーシュ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-502533
公開番号（公開出願番号）：特表2001-527279
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】基板上での酸化物形成方法。本発明の方法によると、基板をチャンバーに置く。次いで、酸素含有ガス及び水素含有ガスをチャンバーに供給する。次いで、酸素含有ガスと水素含有ガスを相互に反応させてチャンバー内に水蒸気を形成する。次いで、水蒸気が基板を酸化する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に基板を置くステップと、 前記チャンバー内に酸素含有ガスを供するステップと、 前記チャンバー内に水素含有ガスを供するステップと、 前記チャンバー内で前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて、前記チャンバー内で水蒸気(H2O)を形成させるステップと、 前記基板を前記水で酸化するステップとを含む、酸化物形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C01B 13/14 ,  C01B 33/12 ,  C01B 5/00

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  C01B 13/14 Z ,  C01B 33/12 Z ,  C01B 5/00 A

Fターム (27件)：

4G042DA01 ,  4G042DB08 ,  4G042DB22 ,  4G042DC03 ,  4G042DE02 ,  4G042DE16 ,  4G072AA25 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ11 ,  4G072MM01 ,  4G072RR03 ,  4G072UU01 ,  5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021582   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116333   出願人：三星電子株式会社