特許

J-GLOBAL ID：200903065012572379

半導体装置の製造方法

発明者： 前田 喜世彦 ,  中磯 直春
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256575
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095940
出願日： 2002年09月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】熱CVD法により複数の基板上に一括してSi3N4膜を形成するに際し,膜応力が小さく且つ面間および面内均一な窒化シリコン膜を形成する。【解決手段】保持具2は,反応管1内で複数の基板Wを縦方向に所定ピッチaで棚状に保持する。NH3ガス供給系9は,反応管1内へNH3ガスを流す。DCSガス供給系8は,NH3ガスの流量よりも大きな流量で反応管1内へDCSガスを流す。ヒータ4は,各ガス供給系8,9から反応管1内へ流される各ガスを熱分解して熱CVD法により各基板W上にSiリッチなSi3N4膜を形成する為に反応管1内を750〜900°Cに加熱する。保持具2における基板Wの配列ピッチaと,反応管1の内壁から基板Wの端部までの距離bと,の比b/aを5以上とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の基板が収容された反応管内へ、ジクロルシランガスとアンモニアガスとを流すにあたり、前記ジクロルシランガスの流量を前記アンモニアガスの流量よりも大きくして、熱化学気相成長法により前記各基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記成膜工程では、前記複数の基板を、隣接する基板どうしが相対面するよう前記反応管の長手方向に所定ピッチで配列し、且つこの配列ピッチaと、前記反応管の内壁と前記基板の端部との間の距離bと、の比b/aを5以上にした状態で前記窒化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/34

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/34

Fターム (22件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA07 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198846   出願人：九州日本電気株式会社
• 半導体ウエハ熱処理炉及び熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-148158   出願人：東芝セラミックス株式会社