特許

J-GLOBAL ID：200903065050277909

半導体レーザ装置

発明者： 荻野 慎次 ,  北村 祥司 ,  進藤 洋一 ,  坂本 尚一 ,  根本 浩二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社 ,  株式会社秩父富士
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342017
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186390
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】はんだ付けに際し十分なはんだ耐熱性を有する、またポストの目視差し込み作業の容易な樹脂封止タイプの半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】レーザダイオードチップ1がフォトダイオードを内蔵するサブマウント2を介して固定されており、固定端部3aを有する金属製の主板3と、これら素子の電気的コモン用、レーザダイオード用およびフォトダイオード用としてそれぞれワイヤにより電気的に接続されており、主板3とは分離されている3本の金属製のポスト4a、4b、4cと、前記素子を封止している封止樹脂5とからなり、この封止樹脂は主板と各ポストを互いに直接接触しないように固定しており、またポストの端部はこの樹脂から突出している。

請求項（抜粋）：

レーザダイオードチップがフォトダイオードを内蔵するサブマウントを介して固定されており、これら素子の電気的コモンでもあり、固定端部を有する金属製の主板と、これら素子の電気的コモン用、レーザダイオード用およびフォトダイオード用としてそれぞれワイヤにより導通されており、主板とは分離されている3本の金属製のポストと、前記素子を封止している樹脂とからなり、この封止樹脂は主板と各ポストを互いに直接接触しないように固定しており、またポストの端部はこの樹脂から突出していることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-130585
  
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202378   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 特開平2-125688
  
• モールド型半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-290118   出願人：ローム株式会社