特許

J-GLOBAL ID：200903065069444334

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡村 龍一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215285
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064819
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 ソース及びドレイン拡散層の高濃度化に伴う拡散層容量の増加を抑え、動作速度の低下を防ぐとともに、ウェル濃度を不具合の発生しない値に設定し、抵抗の増加、ラッチアップ耐性の低下、ノイズの増大を抑制することにより、素子特性の改善を図る。【構成】 周囲領域を成すPウェル領域31又はNウェル領域32上に形成されたソース及びドレイン拡散層54、44の直下に、ウェルと同じ導電型でウェルよりも濃度の薄い低濃度拡散層81、82を設けた半導体装置とする。上記低濃度拡散層81、82は、ソース及びドレイン拡散層54、44の真下にウェルと反対の導電型のイオンのイオン注入を行うことにより形成することができる。

請求項（抜粋）：

MOS型の半導体装置において、周囲領域を成す基板領域又はウエル領域内に形成されたソース及びドレイン拡散層の直下に、周囲領域と同じ導電型で周囲領域よりも濃度の薄い低濃度拡散層を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/08 321 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257543   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272225   出願人：シヤープ株式会社