半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571501
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525875
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】超格子ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(SL-HBT)10の形態の本発明の半導体装置は、超格子領域16をエミッタメサ21内に組み入れている。超格子領域16は、熱暴走を防ぐために、充分に高レベルの装置電流に対する非線形応答を提供する。これにより、損傷レベルの電流から装置を保護する。装置10は、従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタの性能と等価の性能を持った、無線周波数SL-HBTであっても良い。本発明は、半導体レーザとしても実施しても良い。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの活性領域と、少なくとも1つの活性領域と直列な超格子構造と、印加電圧に応じて装置中に装置電流を確立するための手段とを組み込んだ半導体装置であって、該超格子構造は、装置電流が望ましくないレベルに到達するのを防ぐために、臨界装置電流において抵抗変化を示す電流対電圧特性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/331 , H01L 29/417 , H01L 29/68 , H01L 29/737 , H01L 29/872 , H01S 5/183

FI (5件)：

H01L 29/68 , H01S 5/183 , H01L 29/72 H , H01L 29/50 B , H01L 29/48 H

Fターム (30件)：

4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC01 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104HH20 , 5F003AP01 , 5F003BA01 , 5F003BA92 , 5F003BE02 , 5F003BF06 , 5F003BH01 , 5F003BH02 , 5F003BH05 , 5F003BM03 , 5F003BN06 , 5F003BN09 , 5F003BP32 , 5F003BZ01 , 5F003BZ03 , 5F073AA71 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA04 , 5F073CA06 , 5F073CA07 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-213721 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-113494
特開昭62-130561

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