特許
J-GLOBAL ID：200903075442160614
電流駆動される半導体装置および集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108098
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293734
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 電流路の抵抗値を、外付けの抵抗を使うことなく所望の通り設定できる構成のHBTを提供することを目的とする。【解決手段】 HBTを構成するエミッタ層中に給電するエミッタコンタクト層中に、前記エミッタコンタクト層中でポテンシャル障壁を形成する障壁層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された活性部と、前記活性部上に形成され、前記活性部への電流路を構成する導電性半導体層とよりなり、電流駆動される半導体装置において、前記導電性半導体層は、第1の導電型と第1のバンドギャップを有する第1の半導体層よりなり、前記第1の導電型と同じ導電型と、前記第1のバンドギャップよりも大きい第2のバンドギャップとを有する半導体障壁層とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
, H01L 29/43
, H01S 3/18
H01L 29/72
, H01S 3/18
, H01L 29/205
, H01L 29/46 H
