特許
J-GLOBAL ID：200903065113655291
半導体の評価装置とその評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-169804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012636
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 従来の手法では困難であったナノメートルスケールの高空間分解能で非破壊的に半導体中のキャリア分布およびドーパント分布を評価できる方法を提供する。【解決手段】 探針1と試料4との間に流れるトンネル電流2により試料中の主キャリアによる局所プラズモンモードを誘起し、キャリア密度で決まるエネルギーの発光5の強度の面内分布を測定することにより、試料内部のキャリア分布を測定する。
請求項（抜粋）：
試料の近傍に配置され、試料との間にトンネル電流を流すための探針と、このトンネル電流により試料から発せられる光を集光する集光手段と、この集光された光を検出する光検出手段とで構成したことを特徴とする半導体評価装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 N
, G01R 31/28 L
2G032AA00
, 2G032AB00
, 2G032AF07
, 2G032AF08
, 2G032AL00
, 4M106AA10
, 4M106CA19
, 4M106CB02
, 4M106DD01
, 4M106DH12
, 4M106DH38
, 4M106DH39
, 4M106DH50
