特許
J-GLOBAL ID：200903065187821355

III族窒化物膜及びIII族窒化物多層膜

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

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角谷 茂明

角谷 茂明 について

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浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について

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田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266810
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063898
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】【課題】(100)面における結晶性及び(001)面における結晶性の双方を同時に向上させたIII族窒化物膜を提供するとともに、このIII族窒化物膜を用い、半導体素子用下地膜として好適に用いることのできるIII族窒化物多層膜を提供する。【解決手段】CVD法によって、Al含有量が50原子%以上であるIII族窒化物下地膜を形成した後、前記下地膜よりも10原子%以上少ないAl含有量のIII族窒化物膜を前記下地膜上に形成する。その結果、前記III族窒化物膜の(100)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅を800秒以下とし、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅を200秒以下とすることができる。
請求項（抜粋）：
(100)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が800秒以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が200秒以下であることを特徴とする、III族窒化物膜。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B 29/38 D ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
Fターム (39件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57
引用特許：
審査官引用 (3件)

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