特許
J-GLOBAL ID：200903065193451004

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

発明者：
南尾 匡紀

南尾 匡紀 について

, 
安達 修

安達 修 について

, 
野村 徹

野村 徹 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299389
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124382
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 従来のリードフレームによる樹脂封止型半導体装置では、半導体素子の多ピン化に対応できず、また小型、薄型にも限界があった。【解決手段】 金属板よりなるフレーム本体と、その領域内に配設されて、薄厚部によりフレーム本体と接続し、フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド構成体とよりなるターミナルランドフレームから形成され、第1のランド構成体21a,21b上に搭載された半導体素子23と、半導体素子23と金属細線24により接続された第2のランド構成体21c,21d,21e,21fと、各ランド構成体21の底面を突出させて半導体素子23の外囲を封止した封止樹脂25とよりなり、リード体を用いず、ランド体を用いたフレームにより、底面に高密度配置のランド電極を有し、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド構成体とよりなるターミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、第1のランド構成体群上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の周辺に配置され、前記半導体素子と金属細線により電気的に接続された第2のランド構成体群と、前記各ランド構成体群の底面を突出させて前記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体群の封止樹脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記ランド構成体群が前記フレーム本体から突出した量を差し引いた量であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 23/50 ,  B21D 28/00 ,  B21D 28/10 ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  B29L 31:34
FI (6件)：
H01L 23/50 R ,  B21D 28/00 B ,  B21D 28/10 Z ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/12 L
Fターム (31件)：
4E048AB01 ,  4E048EA04 ,  4F206AD19 ,  4F206AH37 ,  4F206JA02 ,  4F206JB17 ,  4F206JF05 ,  4F206JW23 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109FA02 ,  4M109GA03 ,  5F067AA01 ,  5F067AA09 ,  5F067AA10 ,  5F067AB04 ,  5F067AB07 ,  5F067BA08 ,  5F067BC12 ,  5F067BE10 ,  5F067DA01 ,  5F067DA11 ,  5F067DA14 ,  5F067DC16 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067DE18 ,  5F067EA02 ,  5F067EA04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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