特許
J-GLOBAL ID:200903065249827177

発光素子及び発光素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅原 正倫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-077403
公開番号(公開出願番号):特開2004-288788
出願日: 2003年03月20日
公開日(公表日): 2004年10月14日
要約:
【課題】本発明の課題は、金属層を介して発光層部と素子基板とを貼り合わせた構造を有する発光素子において、貼り合わせ熱処理時における素子基板と金属層との冶金的な反応を効果的に防止でき、ひいては、該反応による貼り合わせ強度や反射率の低下などによる不良を生じにくい構造の発光素子と、その製造方法とを提供することにある。【解決手段】本発明の発光素子は、発光層部24を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、発光層部24からの光を光取出面側に反射させる反射面を有した主金属層10を介して素子基板7が結合された発光素子であって、素子基板7の少なくとも主金属層10側の主表面を含む部分が、カーボン又は炭化ケイ素よりなる無機導電相を主体とする導電性材料にて構成されてなることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した主金属層を介して素子基板が結合された発光素子であって、 前記素子基板の少なくとも前記主金属層側の主表面を含む部分が、カーボン又は炭化ケイ素よりなる無機導電相を主体とする導電性材料にて構成されてなることを特徴とする発光素子。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 B
Fターム (8件):
5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15
引用特許:
審査官引用 (7件)
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