特許
J-GLOBAL ID：200903093795326301

窒化物半導体素子

発明者：
園部 真也

園部 真也 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-300714
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006991
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】 p型窒化物半導体層に形成される電極における光の吸収を少なくして外部量子効率の良い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、p型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極を形成することにより、電極とp型窒化物半導体層との良好なオーミック接触が得られると共に、電極が高反射率を有するので、電極における光の吸収が少なくなり、外部量子効率の良い窒化物半導体素子が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
Fターム (24件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA52 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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