特許
J-GLOBAL ID:200903065251746826

電力スイッチング回路、電力変換装置及び電力用半導体スイッチング素子の駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-222860
公開番号(公開出願番号):特開2006-042565
出願日: 2004年07月30日
公開日(公表日): 2006年02月09日
要約:
【課題】 制御遅れを解消して電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時における過電圧を確実に抑制する。【解決手段】 ターンオフ時における電力用半導体スイッチング素子の動作状態を示す動作状態データを時系列データとして順次記憶する動作状態記憶部と、該動作状態記憶部に予め記憶された動作状態データに基づいて次のターンオフ時における電力用半導体スイッチング素子の動作状態を予測し、この予測結果に基づいてオーバーシュートが低減するように次のターンオフ電圧を設定する駆動信号生成部とを備えた制御駆動手段を有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ターンオンとターンオンとを繰り返すことにより一対の主端子に印加された電力をスイッチングする電力用半導体スイッチング素子と、電力用半導体スイッチング素子をターンオンさせるためのターンオン電圧とターンオフさせるためのターンオフ電圧と該ターンオフ電圧に付加され前記主端子の端子間電圧(主端子間電圧)に基づいて生成された補正電圧とからなる駆動信号を生成し、前記ターンオン電圧とターンオフ電圧とによって電力用半導体スイッチング素子をスイッチング駆動すると共に、前記補正電圧を前記ターンオフ電圧に付加することによりターンオフ時における前記主端子間電圧のオーバーシュートを低減する制御駆動手段とを備える電力スイッチング回路であって、 前記制御駆動手段は、 ターンオフ時における電力用半導体スイッチング素子の動作状態を示す動作状態データを時系列データとして順次記憶する動作状態記憶部と、 該動作状態記憶部に予め記憶された動作状態データに基づいて次のターンオフ時における電力用半導体スイッチング素子の動作状態を予測し、この予測結果に基づいて前記オーバーシュートが低減するように次のターンオフ電圧を設定する駆動信号生成部と を具備することを特徴とする電力スイッチング回路。
IPC (2件):
H02M 1/00 ,  H02M 1/08
FI (2件):
H02M1/00 F ,  H02M1/08 A
Fターム (8件):
5H740AA04 ,  5H740BA11 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA01 ,  5H740JB01 ,  5H740KK04 ,  5H740MM02
引用特許:
出願人引用 (7件)
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