特許

J-GLOBAL ID：200903065273766820

窒化物系半導体光素子の作製方法

発明者： 玉村 好司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162460
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359438
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 インジウムの脱離を抑制しつつ従来より高い成長温度でIn含有層を成長させる工程を有する、窒化物系半導体発光素子の作製方法を提供する。【解決手段】 本方法では、従来と同様にして、MOCVD法により1000°Cで、c面のサファイア基板上12上に、GaNバッファ層14、n型GaNコンタクト層16、n型AlGaNクラッド層18、及びn型GaN光導波層20を順次成長させる。次いで、連続的に、MOCVD法により800°Cで、In含有有機化合物としてTBIn、又はEDMINを使用し、光導波層上に活性層22を構成するGa1-xInxN井戸層(例えば、x=0.22)及びGa1-yInyN障壁層(例えば、y=0.02)を成長させ、量子井戸構造を形成する。続いて、従来の方法と同様にして、MOCVD法により、成長温度1000°Cで、活性層上に、p型GaN光導波層24、p型AlGaNクラッド層26、及びp型GaNコンタクト層28を順次成長させる。

請求項（抜粋）：

窒化物系III -V族化合物半導体層からなる積層構造を備え、積層構造を構成する窒化物系III -V族化合物半導体層の少なくとも1層がインジウム(In)を含有するIn含有層である、窒化物系半導体光素子の作製方法であって、MOCVD法によりIn含有層をエピタキシャル成長させる際、分子量が202を越えるIn含有有機化合物を原料としてIn含有層を成長させることを特徴とする窒化物系半導体光素子の作製方法。

IPC (3件)：

H01S 5/323 610 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 5/323 610 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA63 ,  5F073AA45 ,  5F073CA07 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-361219   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-286728   出願人：日亜化学工業株式会社