特許
J-GLOBAL ID：200903097084687552

窒化物半導体素子

発明者：
谷沢 公二

谷沢 公二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286728
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148507
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層7がIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)を含んでなる多重量子井戸構造であり、この活性層7上に順に、Alを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されp型不純物を含有してなる多層膜p型クラッド層8又はAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b≦1)よりなりp型不純物を含有する単一膜p型クラッド層8と、前記p型クラッド層8のp型不純物濃度より、低濃度でp型不純物を含有するp型低濃度ドープ層9と、前記p型クラッド層8及びp型低濃度ドープ層9のp型不純物濃度より高濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層10とを有する。
請求項（抜粋）：
基板上に、n型窒化物半導体層を介して活性層を備えた窒化物半導体素子において、前記活性層が、In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)を含んでなる多重量子井戸構造でありかつ、前記活性層上に、Alを含む第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、さらに該第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にp型不純物を含有してなるp型多層膜層と、該p型多層膜層上に、前記p型多層膜層のp型不純物濃度より低濃度でp型不純物を含有するp型低濃度ドープ層と、該p型低濃度ドープ層上に、前記p型多層膜層及びp型低濃度ドープ層のp型不純物濃度より、高濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層とを有することを特徴とする窒化物半導体素子。
Fターム (10件)：
5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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