特許

J-GLOBAL ID：200903065323544107

不揮発性、特に、フラッシュEEPROM記憶装置

発明者： ジオヴァッニ・カンパルド ,  ロレンツォ・ベダリーダ ,  ジュゼッペ・フジッロ ,  アンドレア・シルヴァーニ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.
代理人 (1件)： 筒井 大和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112859
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106688
出願日： 1996年05月07日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 メモリアレイの複数のセクタのうち少なくとも2つを同時にアドレスすることができる記憶装置を提供する。【解決手段】 記憶装置のメモリアレイ(2)はその全長に沿って伸びるグローバルビット線(13)を提供し、それぞれのローカルビット線(14)に接続されている。スイッチ(15)は、グローバルビット線(13)とそれぞれの各ローカルビット線(14)との間に配設され、選択されたグローバルビット線(13)と、それに関連する1のみのローカルビット線(14)とを選択的に接続させる。スイッチ(15)は、ローカルデコーディングユニット(17)により、制御線に渡って制御され、セクタ(S1〜S12)を独立してアドレスし、異なる行および列における2つの異なるセクタにおいて、同時に諸動作(読み込み、消去、書き込み)を行う。

請求項（抜粋）：

複数のセクタ(S1〜S12)に分類される一定数のメモリセル(30)を含むメモリアレイ(2)を有する記憶装置(1)であって、前記メモリアレイの前記セクタのうち少なくとも2つを同時にアドレスするための手段(14,15,17)を有することを特徴とする記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 309 J ,  G11C 17/00 309 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218508   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-102296
  
• 不揮発性メモリ・ディバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-354401   出願人：インテル・コーポレーション