特許
J-GLOBAL ID：200903065331705381
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159341
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008439
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の新規な構造と、その製造方法を提供する。【構成】 活性層とn型不純物がドープされた第1の窒化物半導体層との間、若しくは活性層とp型不純物がドープされた第2の窒化物半導体層との間にアルミニウムを含む第3の窒化物半導体層が形成されており、その第3の窒化物半導体層の一部にアルミニウムの酸化物を含む部分を有することにより、第3の窒化物半導体層を電流狭窄層、光閉じ込め層として作用するので、リッジ構造、埋め込み構造としなくてもレーザ素子が実現できる。
請求項（抜粋）：
活性層とn型不純物がドープされた第1の窒化物半導体層との間、若しくは活性層とp型不純物がドープされた第2の窒化物半導体層との間にアルミニウムを含む第3の窒化物半導体層が形成されており、その第3の窒化物半導体層の一部にアルミニウムの酸化物を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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