特許

J-GLOBAL ID：200903065352228095

磁気センサ装置およびその製造方法

発明者： 多良 勝司 ,  藤原 俊夫 ,  松田 俊夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-291096
公開番号（公開出願番号）：特開平9-133746
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 磁気センサ装置の高感度を実現するとともに、樹脂封止工程における樹脂の膨張・収縮による応力による特性のばらつきを抑制する。【解決手段】 フェライト基板11上に、SiO2 膜12とSi3 N4 膜13を介して磁気感受部14を形成し、磁気感受部14上にコンタクト電極15およびSi3 N4 膜16を形成し、その上にゴム状のレジン18を介してフェライト17を設置している。また、フェライト基板11はゴム状のレジン18を介してリードフレーム19上に設置している。そして、全体を樹脂20で封止している。磁気感受部14の上下のフェライト(11,17)により高感度を実現し、封止工程での樹脂の応力は、ゴム状のレジン18により吸収され、磁気感受部14に直接加わらず、樹脂の膨張・収縮により生ずる歪の影響を抑えられる。

請求項（抜粋）：

フェライト基板の上部に磁気感受部を設け、前記磁気感受部上にコンタクト電極を設け、前記磁気感受部の上部にゴム状のレジンを介してフェライトを設置し、樹脂封止した磁気センサ装置。

IPC (3件)：

G01R 33/07 ,  H01L 23/28 ,  H01L 43/06

FI (3件)：

G01R 33/06 H ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 43/06 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁電変換素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-106983   出願人：株式会社村田製作所
• 磁気センサー装置、その製造方法およびそれに用いる磁性体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008274   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭49-084213