電界効果型パワー半導体素子とこれを用いた半導体回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-185898
公開番号（公開出願番号）：特開2007-006658
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】ノーマリオン特性を有する半導体素子またはしきい電圧が低い電界効果型パワー半導体素子に好適な半導体回路と、電界効果型パワー半導体素子を提供すること。【解決手段】本発明の半導体回路は、ダイオードとキャパシタを使用した負電源電圧発生回路を設け、低温状態では、パワー半導体素子が接続されている高圧電圧端子の電圧を目標電圧まで上昇する前に、電界効果型パワー半導体素子を発熱させてしきい電圧を上昇させ、通常駆動時のゲート・ソース間電圧範囲を超える負のゲート・ソース間電圧を印加してドレインリーク電流を抑制した後に高圧電源を上昇させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電源電圧端子と基準電圧端子との間にパワー半導体素子を配線し、前記パワー半導体素子により電力を制御される負荷と、前記パワー半導体素子を制御する制御回路を設け、該制御回路が、前記パワー半導体素子のソース端子の電圧に対して予め定めた第1電圧正方向または負方向に離れたまたは前記ソース端子の電圧と等しい高圧側電圧端子と、ソース端子の電圧に対して予め定めた第2電圧負方向に離れた低圧側電圧端子との間で動作し、第1使用温度範囲では、前記パワー半導体素子のしきい電圧が、前記第1電圧と前記第2電圧の間の電圧であって、第2使用温度範囲では、前記パワー半導体素子のしきい電圧が、前記第1使用温度範囲における前記第1電圧と第2電圧の間の電圧範囲を越える電圧であることを特徴とする半導体回路。

IPC (8件)：

H02M 7/537 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H02M 7/538 , H02M 1/08 , H03K 17/687

FI (7件)：

H02M7/537 B , H01L27/06 F , H01L27/04 F , H01L27/04 B , H02M7/538 A , H02M1/08 A , H03K17/687 F

Fターム (43件)：

5F038BG04 , 5F038BG05 , 5F038CA02 , 5F038CA12 , 5F038CD02 , 5F038CD16 , 5F038CD17 , 5F038DF01 , 5F038DF07 , 5F038EZ20 , 5H007AA03 , 5H007CA01 , 5H007CB02 , 5H007CB17 , 5H007CC07 , 5H007DB03 , 5H007GA01 , 5H740AA04 , 5H740BA11 , 5H740BB04 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740JB02 , 5J055AX08 , 5J055BX16 , 5J055CX24 , 5J055DX15 , 5J055DX56 , 5J055DX72 , 5J055DX83 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY21 , 5J055EZ03 , 5J055EZ07 , 5J055EZ20 , 5J055EZ43 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX35 , 5J055GX01 , 5J055GX04

引用特許：

出願人引用 (6件)

整流ゲートを有する三端子ゲート制御半導体スイッチング・デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-518113 出願人：ノースカロライナステートユニバーシティ
SIT起動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-189431 出願人：株式会社トーキン
米国Patent Application Publication US2003/0179035A1(図3から図6の記載。)

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審査官引用 (3件)

特開平4-308475
駆動信号供給回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122166 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-161453 出願人：株式会社東芝

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