特許
J-GLOBAL ID：200903065408584981
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179117
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005111
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 半導体装置の絶縁基板のクラックやはんだの脆化を抑制する。【解決手段】 半導体装置1は、矩形状をなす金属ベース2と、この金属ベース2の第1主面に設けられた金属ベース2よりも面積が小さい矩形状をなす絶縁基板3と、この絶縁基板3の第2主面に絶縁基板3と接着された下部電極4と、この下部電極4と金属ベース2とを接着し、樹脂粒子が混入されたPbフリーはんだ膜5と、絶縁基板3の第1主面に設けられた上部電極7と、この上部電極7の第1主面に設けられた半導体素子6a、6bと、上部電極7と半導体素子6a、6bの間を電気的に接続するボンディングワイヤ9とから構成された半導体パワーモジュールである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1主面に上部電極が設けられ、前記第1主面と相対向する第2主面に下部電極が設けられた絶縁基板と、
前記上部電極の第1主面に設けられ、前記上部電極と電気的に接続された半導体素子と、
前記下部電極と金属ベースの間に設けられ、樹脂粒子が混入されたはんだ膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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