特許
J-GLOBAL ID:200903065417055789
分光エリプソメータを用いた薄膜多層構造の解析方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井ノ口 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-256538
公開番号(公開出願番号):特開2004-093436
出願日: 2002年09月02日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【課題】本発明による分光エリプソメータを用いた薄膜n層構造の解析方法では、膜厚や複素屈折率などの組み合わせモデルを設定し、そのシミュレーションスペクトルを算出して、そのシミュレーションスペクトルと測定スペクトルとのフィッティングを広範囲極小値計算法(EBLMC)を使用して行うことにより、薄膜多層構造を決定する。【解決手段】分光エリプソメータを用いた薄膜3層構造(d1,d2,d3 )の解析方法の実施形態は、分光エリプソメータを用いて試料4の測定データを得る分光測定フェーズと、薄膜3層構造の初期モデルを決定する解析フェーズ1と、前記初期モデルについて、3層構造中の注目層の未知の定数をEBLMCにより決定する第1段階と、前記決定された定数を採用して、他の層の定数をEBLMCにより決定する第2段階とを含む解析フェーズ2、および前記解析フェーズ2で得られたモデルについて最終フィッティングを行い、結果の確認をして保存する解析フェーズ3と、から構成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
分光エリプソメータを用いた薄膜3層構造の解析方法であって、
分光エリプソメータを用いて測定データを得る分光測定フェーズと、
薄膜3層構造の初期モデルを決定する解析フェーズ1と、
前記初期モデルについて、3層構造中の注目層の未知の定数をEBLMCにより決定する第1段階と、前記決定された定数を採用して、他の層の定数をEBLMCにより決定する第2段階とを含む解析フェーズ2
から構成した分光エリプソメータを用いた薄膜3層構造の解析方法。
IPC (5件):
G01J4/04
, G01B11/06
, G01N21/21
, G01N21/41
, G01N21/45
FI (5件):
G01J4/04 Z
, G01B11/06 Z
, G01N21/21 Z
, G01N21/41 Z
, G01N21/45 A
Fターム (31件):
2F065AA30
, 2F065BB17
, 2F065BB22
, 2F065CC02
, 2F065CC31
, 2F065FF50
, 2F065GG03
, 2F065GG23
, 2F065HH12
, 2F065KK01
, 2F065LL02
, 2F065LL33
, 2F065LL34
, 2F065LL57
, 2F065LL67
, 2F065QQ18
, 2F065UU05
, 2F065UU07
, 2G059AA02
, 2G059AA03
, 2G059BB10
, 2G059EE02
, 2G059EE05
, 2G059EE12
, 2G059GG04
, 2G059GG10
, 2G059JJ01
, 2G059JJ17
, 2G059JJ18
, 2G059JJ19
, 2G059MM01
引用特許:
引用文献:
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