特許
J-GLOBAL ID：200903065465779888

半導体装置の製造方法

発明者：
小山内 潤

小山内 潤 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205280
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056872
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】高品質であり動作が安定であるPチャネルトレンチMOSFETの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ゲート電極がP型であるPチャネルトレンチMOSFETの製造方法において、ゲート電極を多結晶シリコン膜中にBF2イオン注入を行いその後他結晶シリコン膜を被着する工程と、イオン注入と、熱処理する工程を複数回行って形成することで、動作が安定でかつ高品質なPチャネルトレンチMOSFETを提供することが可能となる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
N型の半導体基板内にトレンチを形成する工程と、該トレンチ内面上にゲート酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板に第1の多結晶シリコン膜を被着する工程と、イオン注入法により前記第1の多結晶シリコン膜中にBF2イオンを導入し第1の熱処理を行う工程と、前記第1の多結晶シリコン膜上に第2の多結晶シリコン膜を被着する工程と、イオン注入法により前記第2の多結晶シリコン膜中にBF2イオンを導入し第2の熱処理を行う工程と、前記第2の多結晶シリコン膜上に第3の多結晶シリコン膜を被着する工程と、イオン注入法により前記第3の多結晶シリコン膜中にBF2イオンを導入し第3の熱処理を行う工程と、からなることを特徴とするPチャネルMOSFETの製造方法。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (5件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/58 G
Fターム (7件)：
4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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