3族窒化物半導体表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338116
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153644
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】3族窒化物半導体のフルカラー平面ディスプレイを可能とすること。【解決手段】サファイア基板1上にn+ 層3、n層4、Al0.25Ga0.75N から成る6層のバリア層51とAl0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とによる多重量子井戸構造でSi、Znが添加された発光層5、p層61、コンタクト層62が形成されている。コンタクト層62からバッファ層2までの行ラインが形成され、n層4、発光層5、p層61、コンタクト層62の島がドットマトリックスに形成される。各列ラインの各コンタクト層62に接合する電極7がy軸方向に平行な列ラインとして形成され、各行ラインのn+ 層3に接合する電極8が形成される。電極7の上に赤、緑、青の蛍光体層13が形成される。行ラインと列ラインを選択して、制御電圧を印加することで、電界が印加された画素の発光層5から紫外線が発光し、対応する画素の蛍光体層から可視光線が放射される。

請求項（抜粋）：

発光層に3族窒素化物半導体を用いた表示装置において、紫外線を発光する発光層と、前記発光層の放射する前記紫外線を受光して、赤、青、緑の3原色の可視光に変換する蛍光体層とを設けたことを特徴とする表示装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , G09F 9/33

FI (2件)：

H01L 33/00 C , G09F 9/33 E

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327762 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平4-241384
特開昭47-027495

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