特許
J-GLOBAL ID：200903065501493074
無機EL蛍光体薄膜用ターゲット、蛍光体薄膜、無機EL素子および硫化物蛍光体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297022
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118677
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 硫黄不足を抑制し、有毒ガス除去装置、安全対策が不要であり、硫化物薄膜の結晶性が高く、発光輝度、効率、色純度に優れた硫化物蛍光体薄膜が形成可能な無機EL蛍光体薄膜用ターゲット、これにより形成された蛍光体薄膜、無機EL素子および硫化物蛍光体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 II族-硫黄化合物、II族-III族-硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料と、この母体材料組成に対し、硫化マグネシウム(MgS)、硫化カルシウム(CaS)および硫化亜鉛(ZnS)のうちの1種類または2種類以上をMgS、CaSおよびZnS換算で5〜50 mol%含有する構成の無機EL蛍光体薄膜用ターゲット、これにより形成された蛍光体薄膜、無機EL素子、およびこれを用いた硫化物蛍光体薄膜の製造方法とした。
請求項（抜粋）：
II族-硫黄化合物、II族-III族-硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料と、この母体材料組成に対し、硫化マグネシウム(MgS)、硫化カルシウム(CaS)および硫化亜鉛(ZnS)のうちの1種類または2種類以上をMgS、CaSおよびZnS換算で3〜100 mol%含有する無機EL蛍光体薄膜用ターゲット。
Fターム (13件)：
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007CA00
, 3K007CA01
, 3K007CA02
, 3K007DA02
, 3K007DB01
, 3K007DB02
, 3K007DC02
, 3K007DC04
, 3K007FA01
, 3K007FA03
