特許
J-GLOBAL ID：200903065538913154

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者：
山田 紀和

山田 紀和 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319755
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124198
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板に塵埃が吸着され、歩留まりの低下が発生することを防止しつつ、低圧下においても、容易にかつ確実にプラズマを着火することができ、高精度なプラズマ処理を確実に行うことのできるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 まず、高圧直流電源(HV-PS)43から上部電極21に対する高圧直流電圧の印加を開始する。次に、第1の高周波電源40からの上部電極21に対する高周波電力の供給、第2の高周波電源50からのサセプタ(下部電極)5に対する高周波電力の供給を開始すると、この時点で、プラズマが着火される。そして、プラズマが着火された後、高圧直流電源13から静電チャック11への高圧直流電圧の印加が開始されてウエハWの吸着が行われる。
請求項（抜粋）：
被処理基板を収容し、プラズマ処理を施すための真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に、所定の処理ガスを供給するための処理ガス供給手段と、前記真空チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極に対向するように、前記真空チャンバー内に設けられた上部電極と、前記上部電極に所定周波数の第1の高周波電力を供給するための第1の高周波電力供給手段と、前記下部電極に所定周波数の高周波電力を供給するための第2の高周波電力供給手段と、前記上部電極に所定電圧の直流電圧を印加する直流電圧印加手段を具備したプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、前記下部電極に前記被処理基板を載置する載置工程と、前記載置工程の後、前記処理ガス供給手段により前記真空チャンバー内に所定の処理ガスの供給を開始する処理ガス供給開始工程と、前記処理ガス供給開始工程の後、前記上部電極に前記直流電圧印加手段から所定電圧の直流電圧の印加を開始する直流電圧印加開始工程と、前記直流電圧印加工程の後、前記第1の高周波電力供給手段から前記上部電極に前記第1の高周波電力の供給を開始する第1の高周波電力供給開始工程、及び、前記第2の高周波電力供給手段から前記下部電極に前記第2の高周波電力の供給を開始する第2の高周波電力供給開始工程とを具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
Fターム (28件)：
4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030JA06 ,  4K030JA18 ,  4K030KA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DB04 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045EM05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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