特許
J-GLOBAL ID：200903065540499756
多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-138990
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319068
出願日： 2005年05月11日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】各薄膜光電変換ユニットで発生する短絡電流密度を高い値でバランスさせることで、変換効率の高い多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続されたシリコン系薄膜光電変換ユニットを備えた多接合型シリコン系薄膜光電変換装置であって、前記中間層はプラズマCVD法で製膜された1以上のn型μc-Si層と2以上の導電性SiOX層とからなり、前記n型μc-Si層の両方の面が前記導電性SiOX層と接するように配置された多層膜であることを特徴とする多接合型シリコン系薄膜光電変換装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
中間層を介して直列接続されたシリコン系薄膜光電変換ユニットを備えた多接合型シリコン系薄膜光電変換装置であって、該中間層はプラズマCVD法で製膜された1以上のn型μc-Si層と2以上の導電性SiOX層とからなり、該n型μc-Si層の両方の面が該導電性SiOX層と接するように配置された多層膜であることを特徴とする多接合型シリコン系薄膜光電変換装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F051AA05
, 5F051BA12
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA07
, 5F051CA08
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051DA18
, 5F051FA03
, 5F051GA03
出願人引用 (1件)
-
積層型太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-122827
出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (5件)
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