特許

J-GLOBAL ID：200903065544216805

マグネシウムシリサイドの合成方法および熱電素子モジュールの製造方法

発明者： 細野 徹朗 ,  倉本 護 ,  松沢 勇介 ,  百瀬 与志美 ,  立岡 浩一 ,  桑原 弘
出願人/特許権者： 静岡大学長
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-171339
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018274
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】伝導制御された所望の形状のマグネシウムシリサイドを、簡便で安価に合成する方法を提供する。【解決手段】Si塊を所望の形状に加工する工程と、前記加工されたSi塊を、マグネシウム雰囲気中で加熱する工程とを具備することを特徴とする。マグネシウム雰囲気中で加熱する前または後に、p型ドーパントおよびn型ドーパントの少なくとも一方のドーパントを、前記Si塊の全体または一部に導入してもよい。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Si塊を所望の形状に加工する工程と、 前記加工されたSi塊を、マグネシウム雰囲気中で加熱する工程と を具備することを特徴とするマグネシウムシリサイドの合成方法。

IPC (3件)：

C01B33/06 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

FI (3件)：

C01B33/06 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

Fターム (9件)：

4G072AA20 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ02 ,  4G072UU30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 熱電材料および熱電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-139587   出願人：日産自動車株式会社
• 熱電材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-031652   出願人：経済産業省産業技術総合研究所長
• クラスレート化合物と高効率熱電材料およびそれらの製造方法と高効率熱電材料を用いた熱電モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-220568   出願人：石川島播磨重工業株式会社, 円谷和雄