基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096677
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044117
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】低酸素下での加熱処理を短時間で行うことができ、更に基板処理に要するトータル時間を短くすることができる基板処理装置の提供。【解決手段】基板Wを加熱処理するための処理室341において、ギャップ形成部材251,252を介してホットプレート上に配置された基板Wに対してほぼ平行に且つ基板Wの表裏両面にパージ用の気体、例えばN2を供給している。これにより基板Wの周囲を効率良くパージ用の気体で置換でき、更に基板Wの周囲を均一に置換することができる。よって、低酸素下での加熱処理を短時間で行うことができ、更に基板処理に要するトータル時間を短くすることができる。また、低酸素下での加熱処理を均一に行うことができる。

請求項（抜粋）：

第1の面及び第2の面を有する基板を加熱処理するための処理室と、前記処理室内に配置され、前記第2の面側から前記基板を加熱処理するホットプレートと、前記ホットプレートの表面と前記基板の第2の面との間で所定の間隙を保持するギャップ形成部材と、前記ホットプレートの周囲に配置され、前記ギャップ形成部材を介して前記ホットプレート上に配置された基板に対してほぼ平行に且つ基板の第1の面及び第2の面にパージ用の気体を供給する第1の供給部とを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/30 567 , H01L 21/31 A , H01L 21/316 P , H01L 21/68 N

引用特許：

出願人引用 (8件)

塗布膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-312802 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開昭63-031118
熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-150647 出願人：東京応化工業株式会社

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審査官引用 (10件)

半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-014679 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-273116
特開平4-273116

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