特許
J-GLOBAL ID：200903065565950703
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-167326
公開番号（公開出願番号）：特開2006-342010
出願日： 2005年06月07日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】 単結晶基板上に炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させる際に炭化珪素単結晶内に発生する面欠陥を低減する。【解決手段】 単結晶単結晶基板の表面に、炭化珪素単結晶層をエピタキシャル成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記単結晶基板表面には、この基板表面にほぼ平行な一方向に延在する複数の起伏が形成されており、かつ、この起伏は、前記単結晶基板の厚さ方向にうねっており、かつ、この起伏は炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長に伴って伝播する反位相領域境界面及び/又は双晶帯から成る面欠陥が互いに会合するように設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶基板の表面に、炭化珪素単結晶層をホモエピタキシャル若しくはヘテロエピタキシャル成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記単結晶基板表面には、この基板表面にほぼ平行な一方向に延在する複数の起伏が形成されており、かつ、この起伏は、前記単結晶基板の厚さ方向にうねっており、かつ、この起伏は炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長に伴って伝播する反位相領域境界面及び/又は双晶帯から成る面欠陥が互いに会合するように設けられたものであることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36
, C23C 16/02
, C23C 16/42
, C30B 25/18
C30B29/36 A
, C23C16/02
, C23C16/42
, C30B25/18
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077HA05
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA37
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030FA10
, 4K030HA04
, 4K030LA12
