化合物単結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256295
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068655
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、エピタキシャル成長させた結晶内に生じる面欠陥を低減し得る方法を提供すること。【解決手段】化合物単結晶基板の表面にこの基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつこの起伏は前記化合物単結晶層のエピタキシャル成長に伴って成長する欠陥が互いに会合しあうように設けられた方法。

請求項（抜粋）：

化合物単結晶基板の表面にこの基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつこの起伏は前記化合物単結晶層のエピタキシャル成長に伴って成長する欠陥が互いに会合しあうように設けられたことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 C , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C

Fターム (33件)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA41 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA99 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CA11

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-116072 出願人：松下電子工業株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-133844 出願人：松下電子工業株式会社

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