半導体処理及びその改良

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-359605
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306801
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス内の各層を他の全てあるいは任意の層と整合する。【解決手段】本発明は半導体ウエハ上に半導体デバイスを形成する方法に関連し、その上に設けられた参照マークをそれぞれ有する複数のデバイスの層を形成し、整合される層上に設けられる各参照マークから1つ又はそれ以上の特性を有する混成参照マークを形成し、整合が成されるとき識別するため、参照マークを整合される層上又は各層上に設けられるマークの特性と比較し、2つ又はそれ以上の前記複数のデバイスの層と整合される次のデバイスの層を形成する工程を含む方法。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に半導体デバイスを形成する方法であって、その上に設けられる参照マークをそれぞれ有する複数のデバイスの層を形成し、整合される層上に設けられた各参照マークから抽出される1つ又はそれ以上の特性を有する混成参照マークを形成し、参照マークを、整合が成されるとき識別するため整合される層上又は各層の上に設けられる参照マークの特性とを比較し、2つ又はそれ以上の前記複数のデバイスの層と整合される、デバイスの次の層を形成する工程を含む方法。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭54-091058
特開昭60-042828
特開昭60-211838

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