特許
J-GLOBAL ID：200903065580991092

プラズマCVD絶縁膜およびその形成方法

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216286
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064899
出願日： 1996年08月16日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】プラズマCVD絶縁膜およびその形成方法において、低比誘電率であるとともに信頼性向上のための耐湿性を得るためにシリコンを主材としフッ素および炭素が適宜に含む絶縁膜を得る。【解決手段】プラズマCVD絶縁膜であるフッ素含有プラズマ酸化膜を形成するために、例えば、プラズマCVD装置に供給するガス構成をSiH4 ,O2 ,CF4 ,Arガスに加えCO2 ガスを添加することにより、炭素,フッ素を独立に制御し適正なフッ素濃度,炭素濃度を得ている。
請求項（抜粋）：
シリコンを主材としフッ素濃度が4×1021〜1.0×1022atoms/ccの範囲であるとともに炭素濃度が3.0×1019〜1.0×1021atoms/ccの範囲で含むことを特徴とするプラズマCVD絶縁膜。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM