絶縁膜の成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065621
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148323
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】フッ化酸化シリコンからなる絶縁膜の成膜において、ウエハの表面形状に依存する局所的な埋め込み特性の劣化を防止できる方法を提供する。【解決手段】表面に幅の広い凸状段差Aを有するウエハ10上に、プラズマCVD法によって絶縁膜を形成する際、SiF4 (四フッ化シリコン)のようなフッ素やシリコンとを含有するガスと、O2 (酸素)のような酸化性ガスと共に、CH4 (メタン)のような水素を含有するガスを反応ガスに用いる。これによって、プラズマ分解で過剰に生成されるフッ素ラジカルを水素ラジカルによって捕捉し、過剰のフッ素ラジカルが幅広い凸状段差Aの側方に集中して凹状段差B部の埋め込み特性が局所的に劣化することを防止しながら絶縁膜14の成膜を行う。

請求項（抜粋）：

反応ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によって絶縁膜を成膜する方法であって、少なくとも、フッ素とシリコンとを含有するガスと、酸化性ガスと、水素を含有するガスとを前記反応ガスに用いることを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/50 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/50 , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

低誘電体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-247388 出願人：ソニー株式会社
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-182151 出願人：株式会社東芝
フルオロケイ酸塩ガラス層を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-255352 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝

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