特許
J-GLOBAL ID：200903065583136304
強誘電体キャパシタを使用した不揮発性データ記憶回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
土井 健二
, 林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247347
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087003
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】強誘電体キャパシタを使用した不揮発性データ記憶回路において、データリストア動作時の動作を安定させる【解決手段】不揮発性データ記憶回路において、記憶ノードを有するデータ保持回路(1a,1b)と、記憶ノード(N,NX)に一方の電極が接続された複数の強誘電体キャパシタ(FC1〜FC4)とを有する。そして、データ保持回路のデータを強誘電体キャパシタに書き込むストア動作時において、複数の強誘電体キャパシタの他方の電極に供給されるプレート信号(PL1,PL2)の立ち上がり又は立ち下がりの少なくともいずれか一方のタイミングを異ならせる。ストア動作時において、記憶ノードに接続される複数の強誘電体キャパシタに印加されるプレート信号のタイミングがずれているので、強誘電体キャパシタを介するカップリングノイズを分散させて低減することができ、データ保持回路のデータ反転を防止することができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
不揮発性データ記憶回路において、
記憶ノードを有するデータ保持回路と、
前記記憶ノードに一方の電極が接続された複数の強誘電体キャパシタとを有し、
前記データ保持回路のデータを前記複数の強誘電体キャパシタに書き込むストア動作時において、前記複数の強誘電体キャパシタの他方の電極に、立ち上がり又は立ち下がりの少なくともいずれか一方のタイミングを異ならせた複数のプレート信号がそれぞれ供給されることを特徴とする不揮発性データ記憶回路。
IPC (6件)：
G11C11/22
, H01L21/8244
, H01L27/105
, H01L27/11
, H03K3/356
, H03K19/185
G11C11/22 501A
, G11C11/22 501L
, H03K19/185
, H03K3/356 B
, H01L27/10 381
, H01L27/10 441
, H01L27/10 444Z
5F083BS27
, 5F083FR01
, 5F083FZ10
, 5J034AB00
, 5J034CB01
