特許
J-GLOBAL ID：200903065590287040
交換結合膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-085220
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284321
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 耐食性や熱特性等に優れるMn合金からなる反強磁性膜の膜質等の安定化を図ることによって、室温および高温域で十分な強磁性膜との交換結合力を有し、かつプロセスによる劣化等を抑制した交換結合膜、さらには反転構造のスピンバルブタイプの磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 強磁性膜4と、RMn合金やRMnFe合金等の反強磁性合金からなる反強磁性膜3(RはIr、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、RuおよびCuから選ばれる少なくとも 1種)とを積層してなる交換結合膜2において、例えば酸素含有量が 1重量% 以下の合金ターゲットを用いて成膜することにより、反強磁性膜3の結晶粒径を 5nm以上とし、また面内の結晶粒間の結晶方向を揃える。交換結合膜は強磁性膜に電流を通電するための電極を設け、例えばスピンバルブタイプの磁気抵抗効果素子等として使用される。
請求項（抜粋）：
強磁性膜と、少なくともR-Mn(ただし、RはIr、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、ReおよびCuから選ばれる少なくとも 1種の元素を示す)を含む反強磁性膜とを積層してなる交換結合膜であって、前記反強磁性膜は 5nm以上の平均結晶粒径を有することを特徴とする交換結合膜。
IPC (4件)：
H01F 10/16
, C23C 14/14
, G11B 5/39
, H01L 43/08
H01F 10/16
, C23C 14/14 F
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
