特許
J-GLOBAL ID：200903065594313755
強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047719
公開番号（公開出願番号）：特開2002-269970
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 一定の感知マージンを得ることができて、正確な感知動作を実施できる強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法を提供する。【解決手段】 まず、強誘電体コンデンサをビットラインに連結するようにワードラインが活性化される。その次に、プレートラインが活性化されることと同時にリファレンスコンデンサが相補ビットラインに連結される。ビットラインと相補ビットラインとの間の電圧差を感知した後、相補ビットラインからリファレンスコンデンサが絶縁される。このようにして、リファレンスコンデンサを相補ビットラインに連結した後、ビットラインと相補ビットラインとの電圧差を充分に感知するまで、ビットラインおよび相補ビットラインが同一のローディングを有するようにする。
請求項（抜粋）：
ワードラインに連結されたゲート及びビットラインと内部セルノードとの間に連結された電流経路を有するアクセストランジスタと、前記内部セルノードとプレートラインとの間に連結された強誘電体コンデンサと、リファレンスコンデンサを有して基準電圧を発生する基準電圧発生回路とを含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置に貯蔵されたデータを感知する方法において、前記強誘電体コンデンサを前記ビットラインに連結するように前記ワードラインを活性化させる段階と、前記プレートラインを活性させることと同時に前記リファレンスコンデンサを相補ビットラインに連結する段階と、前記ビットラインと前記相補ビットラインとの間の電圧差を感知する段階と、前記相補ビットラインから前記リファレンスコンデンサを絶縁させる段階とを含むことを特徴とする強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法。
引用特許：
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