特許

J-GLOBAL ID：200903065615953555

半導体チップ

発明者： 金 尚 俊
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266162
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116853
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】半導体チップ上面のボンディングパッドの長さ、幅及び/又は形状を変形することにより、改善された信頼性を有する半導体装置を製造することができる半導体チップを提供することにある。【解決手段】本発明による半導体チップは、半導体チップの縁部に形成されており、所定の間隔で離れている複数のボンディングパッド並びと、 該ボンディングパッド並びの両端に位置する複数の最外側ボンディングパッドと、 ボンディングパッドの中央部が露出されるようにして前記ボンディングパッド及び前記最外側ボンディングパッドの上面に被覆されるパッシベーション層と、 該パッシベーション層の下部に形成される酸化膜を含み、 前記ボンディングパッドは、その一方の長さが他方の長さより長いし、前記一方がボンディングパッド並びの方向に垂直であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体チップの縁部に形成されており、所定の間隔で離れている複数のボンディングパッド並びと、該ボンディングパッド並びの両端に位置する複数の最外側ボンディングパッドと、ボンディングパッドの中央部が露出されるようにして前記ボンディングパッド及び前記最外側ボンディングパッドの上面に被覆されるパッシベーション層と、該パッシベーション層の下部に形成される酸化膜を含み、前記パッドは、その一方の長さが他方の長さより長いし、前記一方がボンディングパッド並びの方向に垂直であることを特徴とする半導体チップ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 集積回路のボンディングパッド構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122630   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-181453
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-248684   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
• 特開平4-150044