特許
J-GLOBAL ID：200903065616206877
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316538
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126955
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、前記強誘電体キャパシタを構成する強誘電体膜の剥離を防止する。【解決手段】 強誘電体膜を結晶化する際に、酸化性ガスと非酸化性ガスとの混合雰囲気中において熱処理を行なう。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、基板上に、活性素子を形成する工程と、前記基板上に、前記活性素子を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記強誘電体キャパシタの下側電極を形成する工程と、前記下側電極上に強誘電体膜を、前記強誘電体キャパシタのキャパシタ絶縁膜として形成する工程と、前記強誘電体膜を、非酸化性ガスと酸化性ガスとを含む雰囲気中で熱処理することにより結晶化する工程と、前記強誘電体膜上に、上側電極を形成する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01G 4/33
, H01G 4/12 394
, H01G 4/12 400
, H01G 4/40
, H01L 27/105
H01G 4/12 394
, H01G 4/12 400
, H01G 4/06 102
, H01G 4/40 A
, H01L 27/10 444 B
