特許
J-GLOBAL ID：200903065684170180

酸化物超電導体及びその製造方法

発明者：
上村 一志

上村 一志 について

, 
川原 正和

川原 正和 について


出願人/特許権者：
DOWAホールディングス株式会社

DOWAホールディングス株式会社 について


代理人 (2件)： 澤木 誠一 ,  澤木 紀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-099932
公開番号（公開出願番号）：特開2007-269598
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】従来の方法によって製造された酸化物超電導体はクラックが発生し磁場特性が悪い欠点があった。【解決手段】本発明においては、RE-Ba-Cu-O系(REは希土類元素を示す)の酸化物超電導体の前駆体とセラミックス基板の間に、互いに離間して配列とされている面積が略300平方mm2以下の多数の板状前駆体溶融バルクを中間層として介挿し、上記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
RE-Ba-Cu-O系(REは希土類元素を示す)の酸化物超電導体の前駆体とセラミックス基板の間に、互いに離間して配列されている面積が略300平方mm2以下の多数の板状溶融バルクを中間層として介挿し、上記前駆体を半溶融凝固せしめることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (4件)：
C01G 1/00 ,  H01B 13/00 ,  C01G 3/00 ,  H01B 12/06
FI (4件)：
C01G1/00 S ,  H01B13/00 565D ,  C01G3/00 ,  H01B12/06
Fターム (10件)：
4G047JA03 ,  4G047JB06 ,  4G047JC03 ,  4G047KB04 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA24 ,  5G321DB28 ,  5G321DB47 ,  5G321DB48
引用特許：
出願人引用 (2件)

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