特許
J-GLOBAL ID:200903001336192716
酸化物超電導体およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
大川 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-066558
公開番号(公開出願番号):特開2002-265222
出願日: 2001年03月09日
公開日(公表日): 2002年09月18日
要約:
【要約】【課題】 電気特性、磁気特性、機械強度に優れた均質で大型の酸化物超電導体およびこのような酸化物超電導体を低コストで製造できる酸化物超電導体の製造方法を提供する。【解決手段】 RE化合物(REはYを含む1種または2種以上の希土類金属元素)とBa化合物とCu化合物とを含む原料混合体を、この原料混合体の融点より高い温度で加熱溶融した後に、徐冷して結晶を成長させることによりRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を製造する方法において、原料混合体から穴または溝が形成された前駆体を作製し、この前駆体の下部に隙間ができるように中間層を敷いてその上に前駆体を載置し、前駆体を加熱溶融した後に、徐冷して結晶成長させる。
請求項(抜粋):
RE1+pBa2+q(Cu1-bAgb)3O7-x(REは1種または2種以上の希土類金属元素、-0.2≦p≦0.2、-0.2≦q≦0.2、0≦b≦0.05、-0.2≦x≦0.6)相中に、RE2+rBa1+s(Cu1-dAgd)O5-y相およびRE4+rBa2+s( Cu1-dAgd )2O10-y相(-0.2≦r≦0.2、-0.2≦s≦0.2、0≦d≦0.05、-0.2≦y≦0.2)の少なくとも一方の相が微細に分散した酸化物超電導体において、穴または溝を有し、中心部と周縁部の密度差が理論密度の3%以下であることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (4件):
C01G 5/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
FI (4件):
C01G 5/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 ZAA B
Fターム (18件):
4G047JB03
, 4G047JC03
, 4G047KB05
, 4G047KC04
, 4G047LA01
, 4G047LB01
, 4G047LB04
, 4M113AD36
, 4M113BA21
, 4M113BA29
, 4M113CA34
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321AA07
, 5G321CA03
, 5G321DB28
, 5G321DB47
, 5G321DB48
引用特許: