特許
J-GLOBAL ID:200903086833785106
酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体とその前駆体支持用基材
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-015208
公開番号(公開出願番号):特開2004-262673
出願日: 2003年01月23日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】本発明は、半溶融凝固法により酸化物超電導体を製造する際に支持部材との熱膨張係数差に起因するクラックを入らないようにして欠陥のない大型のバルク状の酸化物超電導体を製造することができる技術の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、酸化物超電導体の前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造する方法において、半溶融中の前駆体に対して溶解可能な化合物または純金属からなる基材の上に前記前駆体を設置し、この状態から前記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
酸化物超電導体の前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造する方法において、半溶融中の前駆体に対して溶解可能な化合物または純金属からなる基材の上に前記前駆体を設置し、この状態から前記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (5件):
C01G3/00
, C01G1/00
, C04B35/653
, H01B12/06
, H01B13/00
FI (5件):
C01G3/00
, C01G1/00 S
, H01B12/06
, H01B13/00 565D
, C04B35/60 B
Fターム (8件):
4G047JA05
, 4G047JC02
, 4G047KB04
, 4G047LB03
, 5G321AA04
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321DB28
引用特許:
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