ウエハにおける欠陥を検知する方法及び装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小橋一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004689
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313027
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ内に隠されている欠陥を検知することの可能な電気的欠陥検知方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明に基づく半導体ウエハにおける電気的欠陥を検知する方法は、(a)電気的に分離されている構成体が電気的に接地されている構成体と相対的にある電圧へ上昇されるようにウエハへ電荷を付与し、(b)電子ビームを使用してこのような構成体を含むウエハの少なくとも1部に対して電圧コントラストデータを獲得し、(c)該電圧コントラストデータを解析してこのような構成体に対する所定の電圧と異なる電圧にある構成体を検知する、上記各ステップを有している。電圧コントラストデータは多数の形態のうちの1つをとることが可能であり、簡単な形態においては、電子ビームのラインスキャン上の多数の位置に対するデータを採取し且つ一連の電圧レベル及びスキャン位置として表示させるか又は格納することが可能である。一方、一連のスキャンからのデータを電圧コントラスト画像として表示することが可能である。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上のダイにおける電気的欠陥を検知する方法において、(a)前記ダイ内の電気的に分離されている構成体が電気的に接地されている構成体と相対的にある電圧へ上昇されるように前記ウエハの所定の領域へ電荷を付与し、(b)前記ダイの領域内の構成体に対する電圧コントラストデータを得るために前記領域をプロービングし、(c)前記電圧コントラストデータを解析してこのような構成体に対する所定の電圧と異なる電圧にある構成体を検知する、上記各ステップを有しており、前記電荷を付与するステップが、前記領域がプロービングされる分解能よりも著しく低い分解能において前記領域へ電荷を付与するように実施されることを特徴とする方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 , G01N 21/88 , G01N 23/225 , G01N 27/60 , G01R 1/06 , G01R 31/302 , H01J 37/28

FI (8件)：

H01L 21/66 B , H01L 21/66 L , G01N 21/88 E , G01N 23/225 , G01N 27/60 Z , G01R 1/06 F , H01J 37/28 A , G01R 31/28 L

引用特許：

審査官引用 (18件)

特開平2-280071
特開平2-280071
画像のアライメント補正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-119226 出願人：株式会社アドバンテスト

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