特許
J-GLOBAL ID：200903065703916228

半導体素子およびその製造方法

発明者：
太田 潔

太田 潔 について

, 
林 伸彦

林 伸彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342915
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252230
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 剥離が生じにくく窒化物系半導体上に簡単な工程で形成可能な安定なオーミック電極を備えた半導体素子を提供することである。【解決手段】 サファイア基板1上にアンドープのGaNバッファ層2、n型GaN層3およびp型GaN層4を順に形成し、p型GaN層4からn型GaN層3までの一部領域を除去し、n型GaN層3を露出させる。p型GaN層4上およびn型GaN層3の露出した上面にTi膜5およびPt膜6を順に形成する。それにより、熱処理による合金化を行うことなくp型GaN層4にオーミック接触するp電極7およびn型GaN層3にオーミック接触するn電極8が形成される。
請求項（抜粋）：
p型窒化物系半導体と、前記p型窒化物系半導体上に形成されたオーミック電極とを備え、前記オーミック電極は、前記p型窒化物系半導体上に密着して形成され、チタンからなる厚さ3Å以上150Å以下の第1の金属膜と、前記第1の金属膜上に密着して形成され、白金またはパラジウムからなる第2の金属膜とを含むことを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/323
引用特許：
審査官引用 (4件)
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