高圧ガスアニーリング装置及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：蔦田璋子 , 蔦田正人 , 中村哲士 , 富田克幸 , 夫世進
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-554126
公開番号（公開出願番号）：特表2009-539231
出願日： 2007年01月12日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

高圧ガス環境にて半導体をアニーリングするための新規な方法及び装置である。実施形態によると、アニーリング容器が2重チャンバー構造を融資、潜在的に毒性、可燃性その他を有する反応ガスが内側チャンバーに閉じ込められ、内側チャンバーは、外側チャンバー中に閉じ込められた不活性ガスの圧力によって保護される。導入ガス配管系統及び排気係合あ、同様に種々の方法で保護される。本発明の実施形態は、例えば、半導体製造工程において、高誘電率ゲート(High-k gate)絶縁膜のアニーリング、メタリゼーション後のシンタリング・アニール、及びフォーミング・ガスアニールに用いることができる。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

高圧アニーリングに用いる装置であって、非金属材料製であり、第1のガスの第1のガス圧力を維持するように設計された内側チャンバーと、金属材料製であり、内側チャンバーを収納するとともに、内側チャンバーの外側にて第2のガスの第2のガス圧力を維持するように設計された内側チャンバーとからなる装置。

IPC (4件)：

H01L 21/324 , H01L 21/322 , H01L 21/28 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L21/324 G , H01L21/322 Z , H01L21/324 Z , H01L21/28 B , H01L29/78 301G

Fターム (4件)：

4M104DD78 , 4M104DD86 , 5F140AA00 , 5F140BE17

引用特許：

出願人引用 (10件)

米国特許US6752874
米国特許US5750436
半導体製造装置における加熱炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-040744 出願人：神鋼電機株式会社

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審査官引用 (6件)

高圧熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-272539 出願人：東京エレクトロン株式会社
加圧式加熱炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-155466 出願人：石川島播磨重工業株式会社
熱処理炉のガス排出方法およびガス排出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-252465 出願人：光洋リンドバーグ株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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